領(lǐng)學(xué)術(shù)科研之先，創(chuàng)食品科技之新
—— 中國(guó)食品雜志社
目的：研究氣體沿面放電低溫等離子體對(duì)擴(kuò)展青霉孢子的殺菌效果。方法：以擴(kuò)展青霉標(biāo)準(zhǔn)菌株CICC?40658和擴(kuò)展青霉分離菌株F-LPH10-06為目標(biāo)菌株，探討2?株菌在馬鈴薯葡萄糖液體培養(yǎng)基中的生長(zhǎng)和產(chǎn)毒特性；應(yīng)用自制的氣體沿面放電低溫等離子體殺菌設(shè)備，探討處理時(shí)間、電源電壓及孢子不同初始濃度對(duì)殺菌效果的影響；并應(yīng)用掃描電子顯微鏡對(duì)孢子形態(tài)變化進(jìn)行觀察。結(jié)果：擴(kuò)展青霉CICC?40658和F-LPH10-06培養(yǎng)14?d后的菌體干質(zhì)量分別為28.6?mg和128.7?mg，展青霉素含量分別為912.40?μg/L和147.97?mg/L，F(xiàn)-LPH10-06產(chǎn)毒量幾乎是CICC?40658產(chǎn)毒量的162?倍。氣體沿面放電低溫等離子體21?min能全部殺死樣品中CICC?40658孢子（初始濃度為3.4×106?個(gè)/mL）；處理30?min，能使樣品中F-LPH10-06孢子（初始濃度為1.5×106?個(gè)/mL）減少4.58?lg（個(gè)/mL）。在相同的處理時(shí)間下，隨著電源電壓升高和初始孢子濃度降低，殺菌效果逐漸提高。掃描電子顯微鏡結(jié)果表明，孢子表面形態(tài)經(jīng)過(guò)放電處理后被改變，這可能與放電過(guò)程中產(chǎn)生的高能電子和活性氧有關(guān)。結(jié)論：氣體沿面放電低溫等離子體對(duì)擴(kuò)展青霉孢子有一定殺滅作用，這為低溫殺菌技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用提供了理論依據(jù)。
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