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NiO/g-C3N4修飾電極的制備及電催化檢測抗壞血酸
來源:食品科學(xué)網(wǎng) 閱讀量: 134 發(fā)表時(shí)間: 2017-08-30
作者: 李成,朱南南,王星,謝靜文,劉素芹
關(guān)鍵詞: 氧化鎳;g-C3N4?;電沉積;抗壞血酸;修飾電極
摘要:

利用三聚氰胺制備石墨相的氮化碳,即g-C3N4,以氯化鎳和g-C3N4為基礎(chǔ)物質(zhì)采用電沉積方法制備復(fù)合化 學(xué)修飾電極。通過對裸電極、NiO/GCE、g-C3N4/GCE和NiO/g-C3N4/GCE對抗壞血酸的催化效果的比較,發(fā)現(xiàn)NiO和 g-C3N4的復(fù)合修飾電極對抗壞血酸具有良好的電催化氧化作用。掃描速率在70~200 mV/s范圍內(nèi),峰電流與掃描速 率呈良好的線性關(guān)系:Ipa=-34.14-1.167v,R=0.998;Ipc=53.42+0.357 8v,R=0.982。峰電位隨掃描速率增大有一 定的偏移,說明該修飾電極的氧化還原過程受表面控制。當(dāng)抗壞血酸的質(zhì)量濃度介于0.017 6~22.88 μg/mL時(shí),其 氧化峰電流與質(zhì)量濃度具有良好的線性關(guān)系,方程為:Ipa=-1.435+2.900C,R=0.998,檢出限為0.008 8 μg/mL。該 傳感器的選擇性、重復(fù)性和穩(wěn)定性良好,可用于果汁中抗壞血酸的檢測。

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